IRF6662TRPBF دیتاشیت

IRF6662TRPBF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IRF6662TRPBF
حجم فایل 115.165 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت IRF6662TRPBF

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IRF6662TRPBF
  • Operating Temperature: -40°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 2.8W;89W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 31nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1360pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 8.3A;47A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4.9V@100uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 22mΩ@8.2A,10V
  • Package: MG-WDSON-5
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه